ملخص: Le but de cette étude est la réalisation de détecteurs au silicium de type p de très haute résistivité. Le processus bien connu de la dérive des ions Li compense les impuretés de l'accepteur dans le Si de type p de faible résistivité utilisé pour la fabrication du détecteur Si (Li) devient inutile. Le dernier (Si (Li)) pose un problème d’utilisation et de stockage à basse température. L'obtention de monocristaux en silicium ayant une résistivité atteignant 130 000 cm permet de les utiliser directement dans la détection de rayonnement nucléaires sans les compenser au lithium...

طبعة: Alger: Commissariat aux Energies Nouvelles
لغة: إنجليزية
الوصف المادي: 84 p. ill. ;30 cm
الشهادة: Maîtrise
مؤسسة مناقشة الرسالة: Commissariat aux Energies Nouvelles

ملاحظة: Bibliogr.pp.[1-3]